DF150R12RT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF150R12RT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 790 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(100С) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 900 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF150R12RT4 IGBT
DF150R12RT4 Datasheet (PDF)
df150r12rt4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IXXH40N65B4 | BLG15T65FUL-P | CM200RX-12A | T0340VB45G | BSM300GA120DN2S | IXBT42N170A | SPT10N120T1
History: IXXH40N65B4 | BLG15T65FUL-P | CM200RX-12A | T0340VB45G | BSM300GA120DN2S | IXBT42N170A | SPT10N120T1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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