Справочник IGBT. DF150R12RT4

 

DF150R12RT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF150R12RT4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 790
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150(100С)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF150R12RT4

 

 

DF150R12RT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  infineon
 df150r12rt4.pdf

DF150R12RT4 DF150R12RT4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque

 9.1. Size:154K  solitron
 sdf150na40.pdf

DF150R12RT4

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf150.pdf

DF150R12RT4

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top