DF150R12RT4 - аналоги и описание IGBT

 

DF150R12RT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DF150R12RT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(100С) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF150R12RT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF150R12RT4 даташит

 ..1. Size:643K  infineon
 df150r12rt4.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF150R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque

 9.1. Size:154K  solitron
 sdf150na40.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf150.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

Другие IGBT... AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , MBQ50T65FDSC , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.