DF200R12KE3 Todos los transistores

 

DF200R12KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF200R12KE3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 295 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1900 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DF200R12KE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  infineon
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DF200R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:164K  eupec
 df200r12ke3.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 6.1. Size:1029K  infineon
 df200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical InformationIGBT-DF200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and diode andNTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC

 6.2. Size:945K  infineon
 df200r12w1h3 b27.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical InformationIGBT-DF200R12W1H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 30A / I = 60AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al

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History: IXXH60N65B4H1 | BSM300GB120DLC | APTGF50SK120T | IXXH50N60C3

 

 
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