DF200R12KE3 Todos los transistores

 

DF200R12KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF200R12KE3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 295 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de DF200R12KE3 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DF200R12KE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  infineon
df200r12ke3.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:164K  eupec
df200r12ke3.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF200R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage200 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 295 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 6.1. Size:1029K  infineon
df200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical InformationIGBT-DF200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 / IGBT4 and diode andNTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC

 6.2. Size:945K  infineon
df200r12w1h3 b27.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical InformationIGBT-DF200R12W1H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 30A / I = 60AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al

Otros transistores... BSM150GB60DLC , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , FGH60N60SFD , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 .

History: SL20T65K1 | IXGB200N60B3 | MWI50-12A7 | NCE75TD120VT | IXYQ40N65B3D1 | 1MBH05D-060

 

 
Back to Top

 


 
.