DF200R12KE3 - аналоги и описание IGBT

 

DF200R12KE3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DF200R12KE3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 295 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF200R12KE3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF200R12KE3 даташит

 ..1. Size:166K  infineon
df200r12ke3.pdfpdf_icon

DF200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:164K  eupec
df200r12ke3.pdfpdf_icon

DF200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 6.1. Size:1029K  infineon
df200r12pt4 b6.pdfpdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical Information IGBT- DF200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 / IGBT4 and diode and NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C

 6.2. Size:945K  infineon
df200r12w1h3 b27.pdfpdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical Information IGBT- DF200R12W1H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al

Другие IGBT... BSM150GB60QQQ , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , IRG7R313U , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 .

History: DF1000R17IE4D-B2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.