DF900R12IP4DV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF900R12IP4DV
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 5100
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 900(100C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 140
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 6400
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF900R12IP4DV - IGBT
DF900R12IP4DV Datasheet (PDF)
df900r12ip4dv.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-Module DF900R12IP4DV IGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
df900r12ip4d.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF900R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
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Liste
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