DF900R12IP4DV - аналоги и описание IGBT

 

DF900R12IP4DV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DF900R12IP4DV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900(100C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF900R12IP4DV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF900R12IP4DV даташит

 ..1. Size:1763K  infineon
 df900r12ip4dv.pdf pdf_icon

DF900R12IP4DV

 2.1. Size:1765K  infineon
 df900r12ip4d.pdf pdf_icon

DF900R12IP4DV

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF900R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

Другие IGBT... DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , RJH30E2DPP , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.