F3L15R12W2H3-B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L15R12W2H3-B27
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 145 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 75 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L15R12W2H3-B27 IGBT
F3L15R12W2H3-B27 Datasheet (PDF)
f3l15r12w2h3-b27.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L15R12W2H3_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 15A / I = 30AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design
f3l15r12w2h3 b27.pdf

/ Technical InformationIGBT-F3L15R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 15A / I = 30AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low inductive design Lo
f3l150r07w2e3 b11.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic
f3l150r12w2h3 b11.pdf

/ Technical InformationIGBT-F3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM
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History: IXGK55N120A3H1 | IRG4BC20K-S | YGW15N120T3 | NGTB30N120IHRWG | IXGR120N60C2
History: IXGK55N120A3H1 | IRG4BC20K-S | YGW15N120T3 | NGTB30N120IHRWG | IXGR120N60C2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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