F3L15R12W2H3-B27 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: F3L15R12W2H3-B27
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L15R12W2H3-B27
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
F3L15R12W2H3-B27 даташит
f3l15r12w2h3-b27.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L15R12W2H3_B27 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 15A / I = 30A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design
f3l15r12w2h3 b27.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L15R12W2H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 15A / I = 30A C nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Solar Applications Electrical Features Low inductive design Lo
f3l150r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
f3l150r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM
Другие IGBT... DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , NGD8201N , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 .
History: F3L200R12W2H3_B11 | DL2G75SH6A | DM1GL75SH12A
History: F3L200R12W2H3_B11 | DL2G75SH6A | DM1GL75SH12A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460







