F3L25R12W1T4-B27 Todos los transistores

 

F3L25R12W1T4-B27 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L25R12W1T4-B27

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS

Encapsulados: MODULE

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F3L25R12W1T4-B27 datasheet

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l25r12w1t4-b27.pdf pdf_icon

F3L25R12W1T4-B27

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L25R12W1T4_B27 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 25A / I = 50A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

Otros transistores... DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , FGPF4633 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 .

History: F3L300R12PT4_B26 | OST30N65HMF | OST25N65FMF | F3L100R12W2H3-B11 | F3L300R12ME4-B22

 

 

 

 

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