F3L25R12W1T4-B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L25R12W1T4-B27
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 215
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 45
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 14
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 200
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L25R12W1T4-B27 - IGBT
F3L25R12W1T4-B27 Datasheet (PDF)
f3l25r12w1t4-b27.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L25R12W1T4_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 25A / I = 50AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design
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Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ