F3L25R12W1T4-B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L25R12W1T4-B27
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 200 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L25R12W1T4-B27 - IGBT
F3L25R12W1T4-B27 Datasheet (PDF)
f3l25r12w1t4-b27.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L25R12W1T4_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 25A / I = 50AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design
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Liste
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