Справочник IGBT. F3L25R12W1T4-B27

 

F3L25R12W1T4-B27 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L25R12W1T4-B27
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L25R12W1T4-B27

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L25R12W1T4-B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l25r12w1t4-b27.pdf pdf_icon

F3L25R12W1T4-B27

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L25R12W1T4_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 25A / I = 50AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

Другие IGBT... DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , CRG15T120BNR3S , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 .

History: AP20GT60ASI-HF | F3L300R12ME4-B22 | IGU04N60T | IXGA12N60B

 

 
Back to Top

 


 
.