Справочник IGBT. F3L25R12W1T4-B27

 

F3L25R12W1T4-B27 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L25R12W1T4-B27
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L25R12W1T4-B27

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L25R12W1T4-B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l25r12w1t4-b27.pdf pdf_icon

F3L25R12W1T4-B27

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L25R12W1T4_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 25A / I = 50AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DGTD120T40S1PT | IXGP20N60B

 

 
Back to Top

 


 
.