Справочник IGBT. F3L25R12W1T4-B27

 

F3L25R12W1T4-B27 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L25R12W1T4-B27
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 215
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 45
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 14
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L25R12W1T4-B27

 

 

F3L25R12W1T4-B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l25r12w1t4-b27.pdf

F3L25R12W1T4-B27 F3L25R12W1T4-B27

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L25R12W1T4_B27IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 25A / I = 50AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar ApplicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top