F3L25R12W1T4-B27 - аналоги и описание IGBT

 

F3L25R12W1T4-B27 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F3L25R12W1T4-B27

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L25R12W1T4-B27

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L25R12W1T4-B27 даташит

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l25r12w1t4-b27.pdf pdf_icon

F3L25R12W1T4-B27

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L25R12W1T4_B27 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 25A / I = 50A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Solar Anwendungen Solar Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features Niederinduktives Design

Другие IGBT... DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , FGPF4633 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.