FD150R12RT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD150R12RT4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 790
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150(100C)
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 900
Paquete / Cubierta: MODULE
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FD150R12RT4 Datasheet (PDF)
fd150r12rt4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hoh
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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