FD150R12RT4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD150R12RT4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 790 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(100C) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Encapsulados: MODULE
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FD150R12RT4 datasheet
fd150r12rt4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD150R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hoh
Otros transistores... F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , CRG40T60AK3HD , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP .
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