FD150R12RT4 - аналоги и описание IGBT

 

FD150R12RT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD150R12RT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(100C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD150R12RT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD150R12RT4 даташит

 ..1. Size:668K  infineon
 fd150r12rt4.pdf pdf_icon

FD150R12RT4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD150R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hoh

Другие IGBT... F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , CRG40T60AK3HD , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP .

History: OST25N65PMF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.