FD1600-1200R17HP4-K-B2 Todos los transistores

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD1600-1200R17HP4-K-B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1600(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:611K  infineon
 fd1600-1200r17hp4-k-b2.pdf pdf_icon

FD1600-1200R17HP4-K-B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD1600/1200R17HP4-K_B2IGBT-ModuleIHM-B Modul mit Chopper KonfigurationIHM-B module with chopper configurationV = 1700VCESI = 1600A / I = 3200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter

Otros transistores... F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , IKW30N60H3 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP .

History: APTGF300SK120 | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | IXBK75N170 | VS-GB200TH120N | 4MBI400VG-060R-50

 

 
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