FD1600-1200R17HP4-K-B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD1600-1200R17HP4-K-B2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1600(100C) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
Encapsulados: MODULE
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FD1600-1200R17HP4-K-B2 datasheet
fd1600-1200r17hp4-k-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FD1600/1200R17HP4-K_B2 IGBT-Module IHM-B Modul mit Chopper Konfiguration IHM-B module with chopper configuration V = 1700V CES I = 1600A / I = 3200A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter
Otros transistores... F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , SGP30N60 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP .
History: DDB2U30N08VR
History: DDB2U30N08VR
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