FD1600-1200R17HP4-K-B2 Todos los transistores

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD1600-1200R17HP4-K-B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1600(100C) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FD1600-1200R17HP4-K-B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:611K  infineon
 fd1600-1200r17hp4-k-b2.pdf pdf_icon

FD1600-1200R17HP4-K-B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD1600/1200R17HP4-K_B2IGBT-ModuleIHM-B Modul mit Chopper KonfigurationIHM-B module with chopper configurationV = 1700VCESI = 1600A / I = 3200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG200DR060B | IXGN50N120C3H1 | NGTB40N135IHR | MMG50J120UZ | IHW40N65R5 | IGB15N65S5 | APT75GP120B2

 

 
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