FD1600-1200R17HP4-K-B2 - аналоги и описание IGBT

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD1600-1200R17HP4-K-B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600(100C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD1600-1200R17HP4-K-B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 даташит

 0.1. Size:611K  infineon
 fd1600-1200r17hp4-k-b2.pdf pdf_icon

FD1600-1200R17HP4-K-B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FD1600/1200R17HP4-K_B2 IGBT-Module IHM-B Modul mit Chopper Konfiguration IHM-B module with chopper configuration V = 1700V CES I = 1600A / I = 3200A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter

Другие IGBT... F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , SGP30N60 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP .

History: AUIRGP4062D-E | DDB2U30N08VR | AFGHL50T65SQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.