Справочник IGBT. FD1600-1200R17HP4-K-B2

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD1600-1200R17HP4-K-B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 17000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD1600-1200R17HP4-K-B2

 

 

FD1600-1200R17HP4-K-B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:611K  infineon
 fd1600-1200r17hp4-k-b2.pdf

FD1600-1200R17HP4-K-B2 FD1600-1200R17HP4-K-B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD1600/1200R17HP4-K_B2IGBT-ModuleIHM-B Modul mit Chopper KonfigurationIHM-B module with chopper configurationV = 1700VCESI = 1600A / I = 3200AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter High power converters Traktionsumrichter

Другие IGBT... F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , TGD30N40P , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP .

 

 
Back to Top