IGU04N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGU04N60T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 42 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9.5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 20 pF
Paquete / Cubierta: TO251
- Selección de transistores por parámetros
IGU04N60T Datasheet (PDF)
igu04n60t.pdf

IGU04N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP technology CGE Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - frequency inverters - drives PG-TO251-3 TRENCHSTOP technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - hig
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History: IGC189T120T6RL | IGC41T120T8Q | DG50H12T2Z | STGWA40H65DFB2 | DGW50N65CTL1 | DGTD120T40S1PT | IGC28T65T8M
History: IGC189T120T6RL | IGC41T120T8Q | DG50H12T2Z | STGWA40H65DFB2 | DGW50N65CTL1 | DGTD120T40S1PT | IGC28T65T8M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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