IGU04N60T Todos los transistores

 

IGU04N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGU04N60T
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 42 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9.5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 20 pF
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IGU04N60T Datasheet (PDF)

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IGU04N60T

IGU04N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP technology CGE Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - frequency inverters - drives PG-TO251-3 TRENCHSTOP technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - hig

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