IGU04N60T IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGU04N60T
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 42 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 20 pF
Encapsulados: TO251
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IGU04N60T datasheet
igu04n60t.pdf
IGU04N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT IGBT in TRENCHSTOP technology C G E Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s Designed for - frequency inverters - drives PG-TO251-3 TRENCHSTOP technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - hig
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History: MG75Q1BS11 | CT25ASJ-8 | SKM75GDL123D
History: MG75Q1BS11 | CT25ASJ-8 | SKM75GDL123D
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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