IGU04N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGU04N60T
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.5 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IGU04N60T
IGU04N60T Datasheet (PDF)
igu04n60t.pdf

IGU04N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP technology CGE Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - frequency inverters - drives PG-TO251-3 TRENCHSTOP technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - hig
Другие IGBT... FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , STGB10NB37LZ , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet