Справочник IGBT. IGU04N60T

 

IGU04N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGU04N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGU04N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  infineon
 igu04n60t.pdf pdf_icon

IGU04N60T

IGU04N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP technology CGE Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - frequency inverters - drives PG-TO251-3 TRENCHSTOP technology for 600V applications offers : - very tight parameter distribution - hig

Другие IGBT... FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , STGB10NB37LZ , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S .

 

 
Back to Top

 


 
.