IGZ50N65H5 Todos los transistores

 

IGZ50N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGZ50N65H5
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
   Paquete / Cubierta: TO247-4
 

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IGZ50N65H5 Datasheet (PDF)

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IGZ50N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ50N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ50N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM

Otros transistores... IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , RJH60F5DPQ-A0 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 .

History: AP20GT60P-HF

 

 
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