IGZ50N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGZ50N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
Paquete / Cubierta: TO247-4
Búsqueda de reemplazo de IGZ50N65H5 - IGBT
IGZ50N65H5 Datasheet (PDF)
igz50n65h5.pdf
IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ50N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ50N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM
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Liste
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