IGZ50N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGZ50N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
Paquete / Cubierta: TO247-4
- Selección de transistores por parámetros
IGZ50N65H5 Datasheet (PDF)
igz50n65h5.pdf

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ50N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ50N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: NCE40TD120BT | IXGR40N60CD1 | IRG4MC40U | MMG150CE065PD6TC | VS-GB400AH120N | FB20R06KL4
History: NCE40TD120BT | IXGR40N60CD1 | IRG4MC40U | MMG150CE065PD6TC | VS-GB400AH120N | FB20R06KL4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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