Справочник IGBT. IGZ50N65H5

 

IGZ50N65H5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGZ50N65H5
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G50EH5
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 109 nC
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для IGZ50N65H5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGZ50N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1948K  infineon
 igz50n65h5.pdf pdf_icon

IGZ50N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyIGZ50N65H5650V IGBT high speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIGZ50N65H5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin incombination with TRENCHSTOPTM

Другие IGBT... IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , RJH60F5DPQ-A0 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 .

History: SGM40HF12A1TFD

 

 
Back to Top

 


 
.