IGZ50N65H5 - аналоги и описание IGBT

 

IGZ50N65H5 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGZ50N65H5

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF

Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для IGZ50N65H5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGZ50N65H5 даташит

 ..1. Size:1948K  infineon
 igz50n65h5.pdf pdf_icon

IGZ50N65H5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology IGZ50N65H5 650V IGBT high speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IGZ50N65H5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits High speed H5 technology offering Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in combination with TRENCHSTOPTM

Другие IGBT... IGB50N65H5 , IGB50N65S5 , IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , TGAN60N60F2DS , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 .

History: MITA10WB1200TMH | MIO1500-25E10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.