IHFW40N65R5S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IHFW40N65R5S
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: H40ER5S
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 108
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 61
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 38
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 34
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 142
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IHFW40N65R5S - IGBT
IHFW40N65R5S Datasheet (PDF)
ihfw40n65r5s.pdf
IHFW40N65R5STRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationReverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithicbody diode in fully isolated packageCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE Low ga
Otros transistores... IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , JT075N065WED , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 .
Liste
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