IHFW40N65R5S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IHFW40N65R5S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 108 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
Encapsulados: TO247
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IHFW40N65R5S datasheet
ihfw40n65r5s.pdf
IHFW40N65R5S TRENCHSTOPTM 5 Advanced Isolation Reverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithic body diode in fully isolated package C Features and Benefits TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage E Low ga
Otros transistores... IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IKW40T120 , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 .
History: IKFW50N65DH5 | NGTG35N65FL2WG
History: IKFW50N65DH5 | NGTG35N65FL2WG
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