Справочник IGBT. IHFW40N65R5S

 

IHFW40N65R5S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHFW40N65R5S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H40ER5S
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 61 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 142 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHFW40N65R5S

 

 

IHFW40N65R5S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1519K  infineon
 ihfw40n65r5s.pdf

IHFW40N65R5S IHFW40N65R5S

IHFW40N65R5STRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationReverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithicbody diode in fully isolated packageCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE Low ga

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top