Справочник IGBT. IHFW40N65R5S

 

IHFW40N65R5S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHFW40N65R5S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 108
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 61
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 38
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 34
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHFW40N65R5S

 

 

IHFW40N65R5S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1519K  infineon
 ihfw40n65r5s.pdf

IHFW40N65R5S IHFW40N65R5S

IHFW40N65R5STRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationReverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithicbody diode in fully isolated packageCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE Low ga

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top