IHFW40N65R5S - аналоги и описание IGBT

 

IHFW40N65R5S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IHFW40N65R5S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 61 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHFW40N65R5S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHFW40N65R5S даташит

 ..1. Size:1519K  infineon
 ihfw40n65r5s.pdf pdf_icon

IHFW40N65R5S

IHFW40N65R5S TRENCHSTOPTM 5 Advanced Isolation Reverse-Conducting IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology with monolithic body diode in fully isolated package C Features and Benefits TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage E Low ga

Другие IGBT... IGU04N60T , IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IKW40T120 , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 .

History: MII200-12A4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.