IKFW40N60DH3E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKFW40N60DH3E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K40DDH3E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 111
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 34
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 34
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 107
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IKFW40N60DH3E - IGBT
IKFW40N60DH3E Datasheet (PDF)
ikfw40n60dh3e.pdf
IKFW40N60DH3ETRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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