IKFW40N60DH3E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKFW40N60DH3E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 111 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Encapsulados: TO247
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IKFW40N60DH3E datasheet
ikfw40n60dh3e.pdf
IKFW40N60DH3E TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) Low EMI G Very soft, fast recovery anti-parallel
Otros transistores... IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , IKB30N65ES5 , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IXRH40N120 , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 .
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