Справочник IGBT. IKFW40N60DH3E

 

IKFW40N60DH3E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKFW40N60DH3E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K40DDH3E
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 107 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKFW40N60DH3E

 

 

IKFW40N60DH3E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2003K  infineon
 ikfw40n60dh3e.pdf

IKFW40N60DH3E IKFW40N60DH3E

IKFW40N60DH3ETRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top