IKFW75N60ET Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IKFW75N60ET  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 178 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 215 pF

Encapsulados: TO247

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IKFW75N60ET datasheet

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IKFW75N60ET

IKFW75N60ET TRENCHSTOPTM Advanced Isolation TRENCHSTOPTM IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Very low V CE(sat) Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) G Low EMI E Very soft, fast recovery anti-parallel diode

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