IKFW75N60ET - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKFW75N60ET
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K75DET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 178
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 45
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 215
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 440
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IKFW75N60ET - IGBT
IKFW75N60ET Datasheet (PDF)
ikfw75n60et.pdf
IKFW75N60ETTRENCHSTOPTM Advanced IsolationTRENCHSTOPTM IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diodein fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Very low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast recovery anti-parallel diode
Otros transistores... IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , HGTG30N60A4 , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T .
Liste
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