IKFW75N60ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKFW75N60ET  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 215 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKFW75N60ET

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKFW75N60ET даташит

 ..1. Size:2011K  infineon
 ikfw75n60et.pdf pdf_icon

IKFW75N60ET

IKFW75N60ET TRENCHSTOPTM Advanced Isolation TRENCHSTOPTM IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Very low V CE(sat) Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) G Low EMI E Very soft, fast recovery anti-parallel diode

Другие IGBT... IKD15N60RC2, IKFW40N60DH3E, IKFW50N60DH3, IKFW50N60DH3E, IKFW50N60ET, IKFW50N65DH5, IKFW60N60DH3E, IKFW60N60EH3, FGW75N60HD, IKFW90N60EH3, IKFW90N65ES5, IKP20N60TA, IKP28N65ES5, IKP39N65ES5, IKP40N65H5, IKW40N65H5, IKQ100N60T