IKFW90N65ES5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKFW90N65ES5
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K90EES5
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 154
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 94
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.42
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 49
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 131
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IKFW90N65ES5 - IGBT
IKFW90N65ES5 Datasheet (PDF)
ikfw90n65es5.pdf
IKFW90N65ES5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltage
ikfw90n60eh3.pdf
IKFW90N60EH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast
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Liste
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