IKFW90N65ES5 Todos los transistores

 

IKFW90N65ES5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IKFW90N65ES5
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 154 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 94 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 49 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 131 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IKFW90N65ES5 Datasheet (PDF)

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IKFW90N65ES5

IKFW90N65ES5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltage

 6.1. Size:2009K  infineon
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IKFW90N65ES5

IKFW90N60EH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast

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