Справочник IGBT. IKFW90N65ES5

 

IKFW90N65ES5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKFW90N65ES5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 94 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKFW90N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1370K  infineon
 ikfw90n65es5.pdf pdf_icon

IKFW90N65ES5

IKFW90N65ES5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltage

 6.1. Size:2009K  infineon
 ikfw90n60eh3.pdf pdf_icon

IKFW90N65ES5

IKFW90N60EH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast

Другие IGBT... IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , RJH60F7BDPQ-A0 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 .

History: HGTG10N120BND | FGAF30S65AQ | MUBW15-06A7

 

 
Back to Top

 


 
.