IKFW90N65ES5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKFW90N65ES5  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 94 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKFW90N65ES5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKFW90N65ES5 даташит

 ..1. Size:1370K  infineon
 ikfw90n65es5.pdf pdf_icon

IKFW90N65ES5

IKFW90N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 Advanced Isolation TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage

 6.1. Size:2009K  infineon
 ikfw90n60eh3.pdf pdf_icon

IKFW90N65ES5

IKFW90N60EH3 TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Low V CE(sat) Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) G Low EMI E Very soft, fast

Другие IGBT... IKFW50N60DH3, IKFW50N60DH3E, IKFW50N60ET, IKFW50N65DH5, IKFW60N60DH3E, IKFW60N60EH3, IKFW75N60ET, IKFW90N60EH3, IRGB20B60PD1, IKP20N60TA, IKP28N65ES5, IKP39N65ES5, IKP40N65H5, IKW40N65H5, IKQ100N60T, IKQ120N60T, IKQ40N120CH3