IKP28N65ES5 Todos los transistores

 

IKP28N65ES5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IKP28N65ES5
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 38 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IKP28N65ES5 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IKP28N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  infineon
 ikp28n65es5.pdf pdf_icon

IKP28N65ES5

IKP28N65ES5High speed switching series 5 th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low VCEsat 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked

Otros transistores... IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , NCE80TD65BT , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 , IKQ40N120CT2 , IKQ50N120CH3 .

History: FGH15T120SMD | IXXN200N60C3H1 | IXXH150N60C3 | JT05N065SAD

 

 
Back to Top

 


 
.