IKP28N65ES5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IKP28N65ES5  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 38 pF

Encapsulados: TO220

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IKP28N65ES5 datasheet

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IKP28N65ES5

IKP28N65ES5 High speed switching series 5 th generation TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fast and soft anti parallel diode C Features and Benefits High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V CEsat 650V breakdown voltage G Low Q G E IGBT copacked

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