Справочник IGBT. IKP28N65ES5

 

IKP28N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP28N65ES5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K28EES5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 50 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP28N65ES5

 

 

IKP28N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  infineon
 ikp28n65es5.pdf

IKP28N65ES5 IKP28N65ES5

IKP28N65ES5High speed switching series 5 th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low VCEsat 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top