Справочник IGBT. IKP28N65ES5

 

IKP28N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP28N65ES5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K28EES5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 130
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 38
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 28
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 38
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 50
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP28N65ES5

 

 

IKP28N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  infineon
 ikp28n65es5.pdf

IKP28N65ES5 IKP28N65ES5

IKP28N65ES5High speed switching series 5 th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low VCEsat 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top