IKY50N120CH3 Todos los transistores

 

IKY50N120CH3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IKY50N120CH3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: K50MCH3
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 652 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 355 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 235 nC
   Paquete / Cubierta: TO247-4
 

 Búsqueda de reemplazo de IKY50N120CH3 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IKY50N120CH3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1572K  infineon
 iky50n120ch3.pdf pdf_icon

IKY50N120CH3

IKY50N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: AOD5B65MQ1E | NGTB05N60R2DT4G | STGWA20M65DF2 | DM2G200SH6N | IKB15N65EH5 | VS-GT300FD060N | DM2G100SH12A

 

 
Back to Top

 


 
.