IKY50N120CH3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKY50N120CH3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K50MCH3
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 652 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 355 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 235 nC
Paquete / Cubierta: TO247-4
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IKY50N120CH3 Datasheet (PDF)
iky50n120ch3.pdf
IKY50N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in
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Liste
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