Справочник IGBT. IKY50N120CH3

 

IKY50N120CH3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKY50N120CH3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K50MCH3
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 652
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 28
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 355
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 235
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для IKY50N120CH3

 

 

IKY50N120CH3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1572K  infineon
 iky50n120ch3.pdf

IKY50N120CH3 IKY50N120CH3

IKY50N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top