IKY50N120CH3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKY50N120CH3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 652 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 355 pF

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKY50N120CH3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKY50N120CH3 даташит

 ..1. Size:1572K  infineon
 iky50n120ch3.pdf pdf_icon

IKY50N120CH3

IKY50N120CH3 High speed switching series third generation IGBT Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode Features High speed H3 technology offers Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pin package in combination with High speed H3 technology High efficiency in

Другие IGBT... IKW40N65ES5, IKW50N60DTP, IKW50N65EH5, IKW75N60H333, IKW75N65EH5, IKW75N65ES5, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, BT40T60ANF, IKY75N120CH3, IKY75N120CS6, IKZ50N65EH5, IKZ50N65ES5, IKZ75N65EH5, IKZ75N65ES5, IRG4BC20KDPBF, IRG4BC20UDPBF