IKZ50N65EH5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IKZ50N65EH5  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF

Encapsulados: TO247-4

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IKZ50N65EH5 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IKZ50N65EH5 datasheet

 ..1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKZ50N65EH5 650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKZ50N65EH5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Bene

 5.1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IKZ50N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Benefits High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal current CEsat Plug and play replacement of previous generatio

Otros transistores... IKW75N60H333, IKW75N65EH5, IKW75N65ES5, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, IKY50N120CH3, IKY75N120CH3, IKY75N120CS6, GT30F126, IKZ50N65ES5, IKZ75N65EH5, IKZ75N65ES5, IRG4BC20KDPBF, IRG4BC20UDPBF, IRG4IBC10UDPBF, IRG4PC30FPBF, IRG4PC30UDPBF