Справочник IGBT. IKZ50N65EH5

 

IKZ50N65EH5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKZ50N65EH5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Тип корпуса: TO247-4
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKZ50N65EH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKZ50N65EH5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKZ50N65EH5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeFeatures and Bene

 5.1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IKZ50N65ES5TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBTTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal currentCEsat Plug and play replacement of previous generatio

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.