IKZ50N65EH5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKZ50N65EH5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K50EEH5
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 109 nC
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для IKZ50N65EH5
IKZ50N65EH5 Datasheet (PDF)
ikz50n65eh5.pdf
IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKZ50N65EH5650V DuoPack IGBT and diodeHigh speed series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKZ50N65EH5High speed series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeFeatures and Bene
ikz50n65es5.pdf
IKZ50N65ES5TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBTTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full currentrated RAPID 1 fast and soft antiparallel diodeFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal currentCEsat Plug and play replacement of previous generatio
Другие IGBT... IKW75N60H3 , IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , IKY40N120CH3 , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , IKY75N120CH3 , IKY75N120CS6 , IRG7IC28U , IKZ50N65ES5 , IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 , IRG4BC20KDPBF , IRG4BC20UDPBF , IRG4IBC10UDPBF , IRG4PC30FPBF , IRG4PC30UDPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2