IKZ50N65EH5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKZ50N65EH5  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKZ50N65EH5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKZ50N65EH5 даташит

 ..1. Size:2181K  infineon
 ikz50n65eh5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKZ50N65EH5 650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKZ50N65EH5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Bene

 5.1. Size:1842K  infineon
 ikz50n65es5.pdf pdf_icon

IKZ50N65EH5

IKZ50N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode Features and Benefits High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.42V at nominal current CEsat Plug and play replacement of previous generatio

Другие IGBT... IKW75N60H333, IKW75N65EH5, IKW75N65ES5, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, IKY50N120CH3, IKY75N120CH3, IKY75N120CS6, GT30F126, IKZ50N65ES5, IKZ75N65EH5, IKZ75N65ES5, IRG4BC20KDPBF, IRG4BC20UDPBF, IRG4IBC10UDPBF, IRG4PC30FPBF, IRG4PC30UDPBF