IRGP4068D-EPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGP4068D-EPBF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 96 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 245 pF
Encapsulados: TO247
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IRGP4068D-EPBF datasheet
irgp4068dpbf.pdf
PD - 97250 IRGP4068DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRGP4068D-EPbF Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C
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History: LEGM75BE120L5H | IRGP6690D-EPBF
History: LEGM75BE120L5H | IRGP6690D-EPBF
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