IRGP4068D-EPBF - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4068D-EPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4068D-EPBF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4068D-EPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4068D-EPBF даташит

 ..1. Size:248K  international rectifier
 irgp4068dpbf irgp4068d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D-EPBF

 3.1. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d-e.pdf pdf_icon

IRGP4068D-EPBF

 5.1. Size:263K  international rectifier
 irgp4068d.pdf pdf_icon

IRGP4068D-EPBF

 5.2. Size:326K  international rectifier
 irgp4068dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4068D-EPBF

PD - 97250 IRGP4068DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRGP4068D-EPbF Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4062DPBF , IRGB4062DPBF , IRGP4062D-EPBF , IRGP4063DPBF , IRGP4063PBF , IRGP4066DPBF , IRGP4066D-EPBF , IRGP4068DPBF , AOK40B65H2AL , IRGP4069DPBF , IRGP4650DPBF , IRGP4660DPBF , IRGP50B60PD1PBF , IRGP6690DPBF , IRGP6690D-EPBF , IRGPS46160DPBF , IRGS4640DPBF .

History: LEGM25BE120E2H | IRGSL4B60KD1PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.