DGW10N120CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW10N120CTL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 157 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 80 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DGW10N120CTL - IGBT
DGW10N120CTL Datasheet (PDF)
dgw10n120ctl.pdf
RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof
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Liste
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