DGW10N120CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW10N120CTL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 157
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 80
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DGW10N120CTL - IGBT
DGW10N120CTL Datasheet (PDF)
dgw10n120ctl.pdf
RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof
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Liste
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