Справочник IGBT. DGW10N120CTL

 

DGW10N120CTL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW10N120CTL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DGW10N120CTL

 

 

DGW10N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw10n120ctl.pdf

DGW10N120CTL DGW10N120CTL

RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... IRGP4640DPBF , IRGP4640D-EPBF , DGF15N60CTL , DGF15N60CTL0 , DGP10N60CTL , DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , IHW20N120R2 , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , DGW25N120CTL , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL .

 

 
Back to Top