Справочник IGBT. DGW10N120CTL

 

DGW10N120CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW10N120CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DGW10N120CTL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW10N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw10n120ctl.pdf pdf_icon

DGW10N120CTL

RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... IRGP4640DPBF , IRGP4640D-EPBF , DGF15N60CTL , DGF15N60CTL0 , DGP10N60CTL , DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , MBQ50T65FESC , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , DGW25N120CTL , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL .

 

 
Back to Top

 


 
.