DGW10N120CTL - аналоги и описание IGBT

 

DGW10N120CTL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DGW10N120CTL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DGW10N120CTL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW10N120CTL даташит

 ..1. Size:394K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw10n120ctl.pdf pdf_icon

DGW10N120CTL

RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CE I 10 A C V I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... IRGP4640DPBF , IRGP4640D-EPBF , DGF15N60CTL , DGF15N60CTL0 , DGP10N60CTL , DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , GT30J122 , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , DGW25N120CTL , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.