Справочник IGBT. DGW10N120CTL

 

DGW10N120CTL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW10N120CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 157
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 80
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DGW10N120CTL

 

 

DGW10N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw10n120ctl.pdf

DGW10N120CTL DGW10N120CTL

RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top