Справочник IGBT. DGW10N120CTL

 

DGW10N120CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW10N120CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DGW10N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw10n120ctl.pdf pdf_icon

DGW10N120CTL

RoHS DGW10N120CTL COMPLIANT IGBT Modules V 1200 V CEI 10 A CV I =10A 1.85 V CE(SAT) C Applications Circuit Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast & sof

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.