DGW25N120CTL Todos los transistores

 

DGW25N120CTL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGW25N120CTL
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 326 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DGW25N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw25n120ctl.pdf pdf_icon

DGW25N120CTL

RoHS DGW25N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CEI 25 A CVCE(SAT) 1.85 V I =25AC Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast

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History: MWI60-06G6K | APT44GA60SD30C | APT64GA90S | STGY50NB60HD | APT64GA90LD30 | STGB10NC60K | RJH60D0DPK

 

 
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