DGW25N120CTL Todos los transistores

 

DGW25N120CTL IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DGW25N120CTL

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 326 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS

Encapsulados: TO247

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DGW25N120CTL datasheet

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DGW25N120CTL

RoHS DGW25N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CE I 25 A C V CE(SAT) 1.85 V I =25A C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast

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