Справочник IGBT. DGW25N120CTL

 

DGW25N120CTL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGW25N120CTL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DGW25N120CTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw25n120ctl.pdf pdf_icon

DGW25N120CTL

RoHS DGW25N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CEI 25 A CVCE(SAT) 1.85 V I =25AC Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast

Другие IGBT... DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , DGW10N120CTL , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , FGPF4533 , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL , DGW40N120CTH , DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH .

History: IKFW50N65DH5 | TGL40N120ND | APT30GN60BDQ2G | 1MBI3600U4D-170 | APT50GF120LRG

 

 
Back to Top

 


 
.