DGW25N120CTL - аналоги и описание IGBT

 

DGW25N120CTL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DGW25N120CTL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DGW25N120CTL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW25N120CTL даташит

 ..1. Size:496K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw25n120ctl.pdf pdf_icon

DGW25N120CTL

RoHS DGW25N120CTL COMPLIANT IGBT Discrete V 1200 V CE I 25 A C V CE(SAT) 1.85 V I =25A C Applications Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Circuit Uninterruptible power supply Features Low V Trench-FS IGBT technology CE(sat) Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient Including fast

Другие IGBT... DGP10N65CTL , DGP15N60CTL , DGP15N65CTL , DGW10N120CTL , DGW15N120CTL , DGW15N65CTL , DGW20N60CTL , DGW20N65CTL , IRG7S313U , DGW30N65BTH , DGW30N65CTH , DGW30N65CTL , DGW40N120CTH , DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH .

History: DGW10N120CTL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.