2SH20 Todos los transistores

 

2SH20 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SH20
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 160 nS
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SH20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hitachi
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2SH20

ADE208293 (Z)2SH20Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO3PHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate2. Collector132 3. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

Otros transistores... 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , CRG75T60AK3HD , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 .

History: MMG75WD120XB6T4N | MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA

 

 
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