Справочник IGBT. 2SH20

 

2SH20 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2SH20
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH20

 

 

2SH20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hitachi
 2sh20.pdf

2SH20 2SH20

ADE208293 (Z)2SH20Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO3PHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate2. Collector132 3. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

Другие IGBT... 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , FGH75T65UPD , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 .

 

 
Back to Top