DGW60N65BTH Todos los transistores

 

DGW60N65BTH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGW60N65BTH
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 395
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 75
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 240
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de DGW60N65BTH - IGBT

 

DGW60N65BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
dgw60n65bth.pdf

DGW60N65BTH
DGW60N65BTH

RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 60 A CVCE(SAT) 2.10 V I = AC 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High

Otros transistores... DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , RJP63F3DPP-M0 , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD .

 

 
Back to Top

 


DGW60N65BTH
  DGW60N65BTH
  DGW60N65BTH
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ | TT060U065FB | TT060U060EQ | TT050U065FBC | TT050U065FB | TT050K065FQ

 

 

 
Back to Top