DGW60N65BTH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DGW60N65BTH

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 395

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1

Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 75

Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 240

Paquete / Cubierta: TO247

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DGW60N65BTH Datasheet (PDF)

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RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 60 A CVCE(SAT) 2.10 V I = AC 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High

Otros transistores... DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , GT50JR22 , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD .