DGW60N65BTH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW60N65BTH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DGW60N65BTH IGBT
DGW60N65BTH Datasheet (PDF)
dgw60n65bth.pdf
RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 60 A CVCE(SAT) 2.10 V I = AC 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High
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History: SG25S12T
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