DGW60N65BTH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DGW60N65BTH  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS

Encapsulados: TO247

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DGW60N65BTH datasheet

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DGW60N65BTH

RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CE I 60 A C V CE(SAT) 2.10 V I = A C 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High

Otros transistores... DGW40N120CTH0, DGW40N120CTL, DGW40N65BTH, DGW40N65CTH, DGW40N65CTL, DGW50N65BTH, DGW50N65CTH, DGW50N65CTL1, GT30J127, DGW75N65CTL1, ATGH40N120F2DR, TGAF40N60F2D, TGAN15N120FDR, TGAN15S135FD, TGAN20N135F3D, TGAN20N150FD, TGAN20S135FD