DGW60N65BTH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGW60N65BTH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 240 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DGW60N65BTH - IGBT
DGW60N65BTH Datasheet (PDF)
dgw60n65bth.pdf
RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 60 A CVCE(SAT) 2.10 V I = AC 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High
Otros transistores... DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , FGPF4536 , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2