DGW60N65BTH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGW60N65BTH  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGW60N65BTH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGW60N65BTH даташит

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
 dgw60n65bth.pdf pdf_icon

DGW60N65BTH

RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CE I 60 A C V CE(SAT) 2.10 V I = A C 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High

Другие IGBT... DGW40N120CTH0, DGW40N120CTL, DGW40N65BTH, DGW40N65CTH, DGW40N65CTL, DGW50N65BTH, DGW50N65CTH, DGW50N65CTL1, GT30J127, DGW75N65CTL1, ATGH40N120F2DR, TGAF40N60F2D, TGAN15N120FDR, TGAN15S135FD, TGAN20N135F3D, TGAN20N150FD, TGAN20S135FD