Справочник IGBT. DGW60N65BTH

 

DGW60N65BTH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: DGW60N65BTH

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 75

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 240

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DGW60N65BTH

 

 

DGW60N65BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  cn yangzhou yangjie elec
dgw60n65bth.pdf

DGW60N65BTH DGW60N65BTH

RoHS DGW60N65BTH COMPLIANT IGBT Discrete V 650 V CEI 60 A CVCE(SAT) 2.10 V I = AC 60 Applications High frequency switching application Medical applications Uninterruptible power supply Motion/servo control Circuit Features Low switching losses Maximum junction temperature 175 Positive temperature coefficient High

Другие IGBT... DGW40N120CTH0 , DGW40N120CTL , DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , FGH40N60SFD , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD .

 

 
Back to Top