ATGH40N120F2DR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATGH40N120F2DR  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 88 pF

Encapsulados: TO247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de ATGH40N120F2DR IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ATGH40N120F2DR datasheet

 ..1. Size:953K  trinnotech
 atgh40n120f2dr.pdf pdf_icon

ATGH40N120F2DR

ATGH40N120F2DR Field Stop Trench IGBT Features TO-247 1200V Field Stop Trench IGBT Technology AEC-Q101 Qualified High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant G C E JEDEC Qualification Applications PTC heater

Otros transistores... DGW40N65BTH, DGW40N65CTH, DGW40N65CTL, DGW50N65BTH, DGW50N65CTH, DGW50N65CTL1, DGW60N65BTH, DGW75N65CTL1, IXGH60N60, TGAF40N60F2D, TGAN15N120FDR, TGAN15S135FD, TGAN20N135F3D, TGAN20N150FD, TGAN20S135FD, TGAN20S150FD, TGAN25N120FDR