ATGH40N120F2DR IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATGH40N120F2DR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 88 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de ATGH40N120F2DR - IGBT
Principales características: ATGH40N120F2DR
atgh40n120f2dr.pdf
ATGH40N120F2DR Field Stop Trench IGBT Features TO-247 1200V Field Stop Trench IGBT Technology AEC-Q101 Qualified High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant G C E JEDEC Qualification Applications PTC heater
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Liste
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