ATGH40N120F2DR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: ATGH40N120F2DR
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 107 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для ATGH40N120F2DR
ATGH40N120F2DR Datasheet (PDF)
atgh40n120f2dr.pdf

ATGH40N120F2DRField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 1200V Field Stop Trench IGBT Technology AEC-Q101 Qualified High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS CompliantG C E JEDEC QualificationApplicationsPTC heater
Другие IGBT... DGW40N65BTH , DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , DGW75N65CTL1 , RJP30H2A , TGAF40N60F2D , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR .
History: SKM195GB063DN | BLQG50T65FDLA-F | BLG60T65FDL-F
History: SKM195GB063DN | BLQG50T65FDLA-F | BLG60T65FDL-F



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor