Справочник IGBT. ATGH40N120F2DR

 

ATGH40N120F2DR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATGH40N120F2DR
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 625
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 22
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 88
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 107
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для ATGH40N120F2DR

 

 

ATGH40N120F2DR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:953K  trinnotech
atgh40n120f2dr.pdf

ATGH40N120F2DR
ATGH40N120F2DR

ATGH40N120F2DRField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 1200V Field Stop Trench IGBT Technology AEC-Q101 Qualified High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS CompliantG C E JEDEC QualificationApplicationsPTC heater

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top