TGAF40N60F2D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGAF40N60F2D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 79 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF
Paquete / Cubierta: TO3PF
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TGAF40N60F2D Datasheet (PDF)
tgaf40n60f2d.pdf
TGAF40N60F2DField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsG C EUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAF40N60F2D TO-3PF TGAF40N60F2D RoHSAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Val
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Liste
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