TGAF40N60F2D Todos los transistores

 

TGAF40N60F2D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGAF40N60F2D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 79 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF

Encapsulados: TO3PF

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TGAF40N60F2D datasheet

 ..1. Size:873K  trinnotech
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TGAF40N60F2D

TGAF40N60F2D Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications G C E UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAF40N60F2D TO-3PF TGAF40N60F2D RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Val

Otros transistores... DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , IXGH60N60 , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR , TGAN30N135FD1 .

History: VS-GB150LH120N | SII75N06 | TT030N065EI | SII150N06 | SRE50N120FSUDAT | YGW60N65F1A2 | TGAN25N120FDR

 

 

 

 

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