TGAF40N60F2D Todos los transistores

 

TGAF40N60F2D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGAF40N60F2D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 79 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

 Búsqueda de reemplazo de TGAF40N60F2D IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TGAF40N60F2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:873K  trinnotech
 tgaf40n60f2d.pdf pdf_icon

TGAF40N60F2D

TGAF40N60F2DField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsG C EUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAF40N60F2D TO-3PF TGAF40N60F2D RoHSAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Val

Otros transistores... DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , GT30J127 , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR , TGAN30N135FD1 .

 

 
Back to Top

 


 
.