Справочник IGBT. TGAF40N60F2D

 

TGAF40N60F2D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGAF40N60F2D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для TGAF40N60F2D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGAF40N60F2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:873K  trinnotech
tgaf40n60f2d.pdfpdf_icon

TGAF40N60F2D

TGAF40N60F2DField Stop Trench IGBTFeatures 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsG C EUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGAF40N60F2D TO-3PF TGAF40N60F2D RoHSAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Val

Другие IGBT... DGW40N65CTH , DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , GT30J127 , TGAN15N120FDR , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR , TGAN30N135FD1 .

History: BRGH25N120D | MIAA20WE600TMH | APT100GN60LDQ4G | TA49015 | STGFW30V60DF | BSM150GAR120DN2 | BLG40T65FDK-F

 

 
Back to Top

 


 
.