TGAN50N90FD Todos los transistores

TGAN50N90FD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGAN50N90FD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.58 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 94 pF

Encapsulados: TO3PN

- Selección ⓘ de transistores por parámetros