TGAN50N90FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGAN50N90FD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 625
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.58
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 94
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 228
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de TGAN50N90FD - IGBT
TGAN50N90FD Datasheet (PDF)
tgan50n90fd.pdf
TGAN50N90FDField Stop Trench IGBTFeatures 900V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwave ovens Soft Switching Application
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Liste
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