TGAN50N90FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGAN50N90FD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 625
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 900
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.58
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 94
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 228
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TGAN50N90FD
TGAN50N90FD Datasheet (PDF)
tgan50n90fd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TGAN50N90FDField Stop Trench IGBTFeatures 900V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwave ovens Soft Switching Application
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
![TGAN50N90FD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![TGAN50N90FD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![TGAN50N90FD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ