TGAN50N90FD - аналоги и описание IGBT

 

TGAN50N90FD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGAN50N90FD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.58 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 94 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TGAN50N90FD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGAN50N90FD даташит

 ..1. Size:1000K  trinnotech
 tgan50n90fd.pdf pdf_icon

TGAN50N90FD

TGAN50N90FD Field Stop Trench IGBT Features 900V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC Qualification E Applications C Induction Heating G Inverterized microwave ovens Soft Switching Application

Другие IGBT... TGAN40N135FD , TGAN40N60F2D , TGAN40N60F2DS , TGAN40N65F2DR , TGAN40N65F2DS , TGAN40N90FD , TGAN40S135FD , TGAN40S160FD , IRG7R313U , TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS , TGAN80N60F2DS , TGAN80N65F2DS , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D .

History: NGTB15N120IHL | TGAN60N65F2DR | RJP60F5DPK | TGAF40N60F2D | TGAN30S135FD | SRE100N065FSUD6 | VS-GB150LH120N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.