Справочник IGBT. TGAN50N90FD

 

TGAN50N90FD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGAN50N90FD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.58 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 94 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 228 nC
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TGAN50N90FD

 

 

TGAN50N90FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1000K  trinnotech
 tgan50n90fd.pdf

TGAN50N90FD TGAN50N90FD

TGAN50N90FDField Stop Trench IGBTFeatures 900V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationEApplicationsC Induction Heating G Inverterized microwave ovens Soft Switching Application

Другие IGBT... TGAN40N135FD , TGAN40N60F2D , TGAN40N60F2DS , TGAN40N65F2DR , TGAN40N65F2DS , TGAN40N90FD , TGAN40S135FD , TGAN40S160FD , FGPF4633 , TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS , TGAN80N60F2DS , TGAN80N65F2DS , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D .

 

 
Back to Top