HCKW25N120H2 Todos los transistores

 

HCKW25N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCKW25N120H2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: K25H1202
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 375
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.9
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 53.3
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 92.7
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 226
   Paquete / Cubierta: TO247

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HCKW25N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  cn vgsemi
hckw25n120h2.pdf

HCKW25N120H2
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HCKW25N120H2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKW25N120H2 is a 1200V25A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

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