HCKW25N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCKW25N120H2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K25H1202
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 375
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.9
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 53.3
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 92.7
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 226
Paquete / Cubierta: TO247
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HCKW25N120H2 Datasheet (PDF)
hckw25n120h2.pdf
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HCKW25N120H2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKW25N120H2 is a 1200V25A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo
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