HCKW25N120H2 Todos los transistores

 

HCKW25N120H2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCKW25N120H2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53.3 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 92.7 pF

Encapsulados: TO247

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HCKW25N120H2 datasheet

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HCKW25N120H2

HCKW25N120H2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKW25N120H2 is a 1200V25A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

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History: STGW15M120DF3 | NCE80TD60BT | IXSR35N120BD1 | IXXH100N60C3 | STGF15M65DF2 | STGB35N35LZ | SL40T65FL

 

 

 

 

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