Справочник IGBT. HCKW25N120H2

 

HCKW25N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKW25N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92.7 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HCKW25N120H2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKW25N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  cn vgsemi
 hckw25n120h2.pdf pdf_icon

HCKW25N120H2

HCKW25N120H2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKW25N120H2 is a 1200V25A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

Другие IGBT... TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , GT30F133 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , MSG06T65FLD , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW .

 

 
Back to Top

 


 
.