HCKW25N120H2 - аналоги и описание IGBT

 

HCKW25N120H2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HCKW25N120H2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53.3 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92.7 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HCKW25N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKW25N120H2 даташит

 ..1. Size:1392K  cn vgsemi
 hckw25n120h2.pdf pdf_icon

HCKW25N120H2

HCKW25N120H2 @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKW25N120H2 is a 1200V25A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V ,high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

Другие IGBT... TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , YGW40N65F1 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , MSG06T65FLD , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW .

History: IXBF50N360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.